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美光在MWC上推全球首款1TB闪存卡

时间:2019-2-27, 来源:互联网, 资讯类别:行业动态

导读:美光在今年的MWC展会上展出了容量高达1TB的c200 microSDXC卡。在闪存技术飞速发展的今天,已可以在如此小的尺寸下实现如此高的容量,非常令人吃惊。

美国存储器领导厂美光25日在世界移动大会(MWC)发表全球首款超大容量microSD闪存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。该产品为高性能的可抽取式储存解决方案,提供高达 1TB1的储存容量,消费者可用此闪存卡,在手机或其他电子装置上储存4K影片、照片与游戏。预计第2季上市销售。

  此款闪存卡为业界首款采用美光先进96层四阶储存单元(QLC)3D NAND 技术的 microSD 闪存卡,每秒读取速度高达 100 MB,每秒写入速度3可达 95 MB,符合UHS-I 速度等级 3 (U3)与影片速度等级 30 (V30)的标准。

  Forward Insights总裁Gregory Wong表示,3D QLC NAND技术时代来临,将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。且指出,美光推出的新闪存卡为可抽取式储存装置市场划下重要里程碑,将有助于加速移动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。

  美光嵌入式产品事业部 NAND 解决方案资深总监 Aravind Ramamoorthy 则表示,通过研发 CuA (CMOS under the Array) 架构和 96 层 QLC技术,公司站稳 3D NAND领域领导地位,全新的c200 系列 1TB microSD 闪存卡将满足消费者对移动装置黏着度高的生活方式,辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。

  除了闪存产品,美光在DRAM技术也持续推进,此前也宣布在台湾建立DRAM卓越中心,该公司台湾区副总裁徐国晋此前在一场媒体餐叙上透露,去年在台湾导入1x纳米制程后,预定下半年还将导入1y纳米制程量产,同时并进行1z制程试产,希望明年导入量产。


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